近日SemiWiki發(fā)布數(shù)據(jù)報告稱，臺積電(201.58, 4.09, 2.07%)的先進封裝CoWoS月產(chǎn)能（WPM）在2025年將達到6.5萬片/月至7.5萬片/月，而2024年的產(chǎn)能為3.5萬片/月至4萬片/月，今年產(chǎn)能預計將翻一倍。此前，臺積電CEO魏哲家在去年財報業(yè)績會上表示，2024年臺積電先進封裝產(chǎn)能處于供不應求的狀態(tài)，狀態(tài)會持續(xù)到2025年，并將于2025年或2026年實現(xiàn)供需平衡。
該報告預計，英偉達是2025年臺積電CoWoS的最主要客戶，占整體產(chǎn)能63%。同時根據(jù)光大證券，博通、AMD(120.63, -0.16, -0.13%)、美滿、亞馬遜(220.22, 0.83, 0.38%)等芯片大廠均對臺積電CoWoS的需求持續(xù)增加。
不過根據(jù)SemiWiki預計，博通、AMD和美滿僅占2025年臺積電整體CoWoS產(chǎn)能10%左右，而亞馬遜、Intel Habana等僅占3%左右份額。臺積電的CoWoS產(chǎn)能可能在2025年主要供給于英偉達，對于其它企業(yè)而言，其CoWoS可能仍處于供不應求的情況。
CoWoS是臺積電推出的2.5D先進封裝服務，是英偉達生產(chǎn)H100、B100等GPU必不可少的制造工藝。CoWoS的技術路線圖顯示，臺積電目前主要采用的是CoWoS-S/L/R三種（按照CoWoS的中介層不同進行的區(qū)分），采用3.3倍光罩尺寸，同時封裝8個HBM3。臺積電預計到2027年，公司主要采用CoWoS-L，8倍光罩尺寸，可同時封裝12個HBM4。此外，臺積電還推出了3D先進封裝，名叫SoIC。
業(yè)界認為摩爾定律正走向物理極限，通過先進封裝提升芯片性能成為大勢所趨。不僅臺積電推出了2.5D及3D先進封裝，而且另兩家頭部晶圓廠也紛紛推出相關服務。三星電子推出I-Cube、H-Cube和X-Cube三種先進封裝，前兩者屬于2.5D封裝，后者為3D封裝。英特爾(20.22, 0.17, 0.85%)也推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等2.5D和3D封裝服務。
目前臺積電處于領先地位。一位晶圓代工業(yè)者表示，臺積電的優(yōu)勢在于良率的know how，而這來自于多年的實際生產(chǎn)經(jīng)驗積累。
一位從事先進封裝EDA的人士告訴記者，2.5D封裝領域競爭的核心在于良率，并且良率的微小差別就會產(chǎn)生巨大成本差異：“2.5D或3D先進封裝，封裝的是GPU、CPU、HBM等，一旦封裝出錯，就有可能損壞這些芯片，而這些芯片價格昂貴。”她進一步指出，即使上述芯片未損壞，出現(xiàn)差錯后，先進封裝采用的高價值基板也會受損，并且市場化時間拉長，也會大幅抬升成本。
雖然臺積電在良率上略勝一籌，但是其它廠商在技術上也有創(chuàng)新。CoWoS采用的TSV中介層被認為價格昂貴，也有廠商嘗試替代TSV中介層來降低成本，比如英特爾。英特爾推出EMIB的2.5D封裝采用了硅橋，而非TSV中介層，進而避免了制造TSV中介層的工藝難度和高昂成本問題。此外，英特爾還將EMIB和Foveros（英特爾另一種2.5D和3D封裝技術）相融合，推出了3.5D EMIB。
除了臺積電、三星和英特爾進軍該領域外，封測廠也在嘗試，包括日月光、安靠等。上述晶圓廠代工人士認為，此類先進封裝涉及晶圓制造的前段制程，而封測廠少有涉獵，因而缺乏相關制造經(jīng)驗，所以對于未來高性能要求的先進封裝只能晶圓廠做，封測廠難有競爭力。不過，一位為晶圓廠制定先進封裝方案的人士認為，上述看法過于絕對，在封測廠完成整套2.5D或3D先進封裝在未來是完全可行的。
